마이크론의 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 생산 능력 최적화(램프업)가 순조롭게 이뤄지고 있다.

차세대 HBM4E 표준 제품은 2027년에 양산을 시작한다.

지난 5월 20일 마니시 바티아 마이크론 테크놀로지 글로벌 운영 담당 부사장은 J.P 모건 투자 콘퍼런스에 참석해 “마이크론의 HBM4 생산 능력 최적화는 지난해 HBM3 12단 제품 대비 실제 2배 빠르게 진행됐다.”며 “수율은 더 빠르게 개선되고 있다.”고 밝혔다.

해당 제품은 엔비디아 인공지능(AI) 연산 플랫폼 베라 루빈에 탑재된다.

마이크론이 제시한 HBM4의 램프업이 빨라진 이유는 3가지다.

우선 전 세대 HBM3, 3E 12단 제품을 양산하며 얻은 경험과 학습 효과로 HBM4의 코어 다이(D램 칩)을 10나노급 5세대 1-베타(1β) 공정으로 만들었기 때문이다.

1β 공정은 현 마이크론의 주력 공정으로 성능과 수율 모두 검증되어 운영 중이다.

마지막은 자체 최적화한 베이스 다이로 1β D램과 내부 제조 베이스 다이를 결합해 완성도와 성능을 극대화했다는 것이다. 

차세대 HBM4E 부터는 전략이 바뀌어 코어 다이는 10나노급 6세대 1-감마(1γ) 공정으로 생산할 예정이다.

1γ는 삼성전자와 SK하이닉스의 10나노급 6세대 1c 공정과 동일한 세대다.

마이크론이 처음 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비를 도입한 공정이다.

베이스 다이도 자체 생산이 아닌 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 TSMC를 활용한다. 

바티아 부사장은 “HBM4E 개발은 순조로우며, 내년 양산을 시작할 것으로 예상한다.”며 “가장 먼저 램프업될 첫 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준(스탠다드) 제품이 될 것.”이라고 언급했다.

마이크론의 고객사 요구에 맞춘 맞춤형(커스텀) 제품도 준비 중이다.

표준 제품 대비 비용이 높아지나, 제품 성능 향상과 기능 추가로 고객사 수요는 충분할 것으로 기대하고 있다.

마이크론은 2026년 중반까지 1γ 공정 기반 D램과 9세대 낸드플래시 제품의 용량(비트) 출하량이 전체 물량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망하고 있다.

특히 1γ D램은 총 웨이퍼 생산량 기준 마이크론의 최대 규모 단일 D램 공정이 될 전망이다.