삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 최선단 낸드와 D램 동시 양산으로 확정지었다

12월 7일 업삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 ‘P4F’에서 ‘P4H’로 변경했다.

F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어이며, H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다.

Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있고 유추할 수 있다.

지디넷코리아에 따르면, P4H라인은 낸드에 때한 설비투자를 월 1만장 규모를 확장한 상태이며 2024년 연중 월 5,000장 수준의 투자가 진행됐고 연말까지 월 5,000장 규모를 더 투자하는 방식이다.

추가 투자는 2025년 중반 정도에 나올 것으로 보인다. 쿼드레벨셀(QLC) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나 계획은 보류된 상황이다.

D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다.

삼성전자는 P1･P2･P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다.

P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상되며, 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다.

삼성전자는 2025년에 경쟁사들이 D램 비트에 증가율을 공격적으로 늘리고, 고대역폭메모리(HBM) 확장 전략을 가져갈 것을 고려해 1a･1b 생산 비중 확대에 적극적인 분위기다.

전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼 P4H에 D램 설비를 확장하고 있다.