삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 최선단 낸드와 D램 동시 양산으로 확정지었다 12월 7일 업삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 ‘P4F’에서 ‘P4H’로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어이며, H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있고 유추할 수 있다. 지디넷코리아에 따르면, P4H라인은 낸드에 때한 설비투자를 월 1만장 규모를 확장한 상태이며 2024년 연중 월 5,000장 수준의 투자가 진행됐고 연말까지 월 5,000장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자는 2025년 중반 정도에 나올 것으로 보인다. 쿼드레벨셀(QLC) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나 계획은 보류된 상황이다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 삼성전자는 P1･P2･P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공
중국반도체 기업인 칭화유니그룹(紫光集团)이 다시 디폴트(Default) 상태가 됐다. 지난 9일 칭화유니그룹은 10일 만기가 도래하는 4억 5000만 달러(한화 약 4909억 원) 규모의 달러 표시 회사채 원금과 이자를 갚을 수 없다면서 채무 불이행을 선언했다. 이미 11월에 13억 위안(한화 약 2170억 원) 규모의 회사채 상환에 실패해 채무 불이행을 선언한 데 이어 2번째 디폴트 선언이다. 또한, 만기가 돌아오는 20억 달러(한화 약 2조 1840억 원) 규모의 회사채 역시 디폴트 위험이 있다고 밝혔다. 20억 달러의 회사채는 칭화유니그룹의 계열사인 쯔광신성(紫光芯盛)에서 발행한 것으로 3개 회사채의 총 규모로 보증인은 칭화유니 그룹이다. 10억 5000만 달러(한화 약 1조 1466억 원) 규모의 회사채는 2021년 1월 31일이 만기이며 7억 5000만 달러(한화 약 8190억 원)의 회사채는 2023년 1월 31일 만기, 2억 달러(한화 약 2184억 원) 규모의 회사채는 2028년 1월 31일이 만기다. 한편, 칭화유니그룹의 잇따른 채무불이행은 AAA를 유지하던 신용평가를 투자 부적격 직전이 B까지 수직하락했다. 중국 신용평가기관인 중청신궈지(中
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