한화정밀기계(이하 ‘한화정밀’)가 SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 제조용 TC본더(칩을 결합하는 장비) 퀄테스트(품질 인증)에서 탈락했다는 소식이 전해지고 있다. 지난 10월 16일 반도체 업계에 따르면 한화정밀은 SK하이닉스의 HBM용 TC본더 품질 인증 테스트 과정에서 평가 기준에 미달 평가를 받은 것으로 전해진다. 지난 6월부터 한화정밀기계는 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 공급해 퀄테스트를 진행 중이었다. 퀄테스트 통과 시기에 맞춰 한화정밀기계는 2024년 하반기 TC본더를 대량 양산할 예정이었는데 이번 퀄테스트를 통과하지 못하면서 대규모 발주는 기대하기 어려워지게 된다. TC본더는 HBM 제조공정의 핵심 장비로 삼성전자와 SK하이닉스 모두 HBM 주도권 경쟁을 벌이면서 관련 수요가 늘어나는 추세다. SK하이닉스의 경우 공급사 다변화 전략 차원에서 한화정밀기계 TC 본더 퀄테스트를 진행했다. SK하이닉스는 그동안 한미반도체를 통해 HBM 제조용 TC 본더를 확보해오고 있었지만 벤더 다변화를 통한 비용 절감에 나선 상황이다. SK하이닉스는 차세대 본딩 장비인 하이브리드 본더도 한화정밀기계와 공동 개발 중이다. 한화정밀기계는 “현재 SK하이닉스 측
지난 7월 26일 SK하이닉스는 이사회를 열고 경기도 용인 반도체 클러스터의 1번째 공장과 업무 시설을 건설하는데 9조 4,000억 원을 투자하기로 결정했다. 용인 반도체 공장은 인공지능(AI) 메모리에 사용되는 고대역폭메모리(HBM)와 차세대 D램 제품이 생산될 예정이다. 용인시 원심면 일대에 지어질 SK하이닉스 반도체 공장은 415만㎡ 규모 부지에 조성될 예정이다. 현재 부지 정지(整地) 와 인프라 구축이 진행 되고 있으며 SK하이닉스와 4개 공장을 짓고 국내외 소재‧부품‧장비 기업들과 함께 반도체 클러스터를 구축하게 된다. SK하이닉스는 1번째 공장을 건설한 이후 나머지 3개 공장도 순차적으로 지을 예정이다. 이번 투자액에는 반도체 공장과 함께 부대시설과 업무지원동‧복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 공장 설계 기간과 2028년 하반기 준공할 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 정했다. SK하이닉스는 용인 첫 번째 공장에서 HBM을 비롯한 차세대 D램 제품을 생산할 계획이다. 공장 완공 시점에 발생할 수 있는 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산도 가능하도록 준비하기로 했다. 국내 소
지난 7월 25일 SK하이닉스는 실적발표회를 열고 2024년 2분기 실적을 발표했다. SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)와 기업용 SSD(eSSD) 등 인공지능(AI) 메모리 수요 급증을 통해 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 2분기 실적은 매출 16조 4,233억 원, 영업이익 5조 4,685억 원(영업이익률 33%), 순이익 4조 1,200억 원(순이익률 25%)를 기록했다. 이는 증권가에서 컨센서스한 2분기 실적 전망치인 매출 16조 1,886억 원, 영업이익 5조 1,923억 원을 상회한 기록이다. 이전 역대 최대 실적은 2022년 2분기 매출액인 13조 8,110억 원을 상회한 것이며, 2018년 2분기 영업이익인 5조 5,739억 원과 3분기 영업이익 6조 4,724억 원 이후 6년 만의 5조 원대 실적을 달성한 것이다. ◆ 효자상품이 HBM, D램, eSSD 등 AI 메모리 지난 3월부터 양산에 들어간 D램은 5세대 HBM3E와 ECC 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. HBM D램 매출은 2024년 1분기 대비 80% 상승했고 2023년 2분기 대비 250% 이상 증가했다. 낸드 플래시는 eSSD 모바일용 제품 위주로 판매
인디애나 공장은 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지로 2028년 하반기부터 HBM 양산을 시작한다. 지난 4월 4일 SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구‧개발에 협력하기로 했다고 밝혔다. SK하이닉스는 38억 7,000만 달러(원화 약 5조 2,000억 원)를 투자할 계획이다. 지난 4월 3일 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대학교에서 인디애나주와 퍼듀대학교, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 이날 행사에는 에릭 홀콤(Eric Holcomb) 인디애나 주지사, 토드 영(Todd Young) 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카(Arati Prabhakar) 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만(Arun Venkataraman) 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그(David Rosenberg) 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙(Mung Chiang) 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스(Mitch Daniels) 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터(Erin Easter) 웨스트라피엣 시장 등 미국 측 관계자가 참석했다
삼성전자가 메모리 반도체와 인공지능 프로세서를 하나로 결합한 HBM-PIM(Processing-in-Memory)를 개발했다. PIM은 메모리 내부에 연산 작업에 필요한 프로세서 기능을 더한 융합 기술로, 삼성전자는 슈퍼컴퓨터(HPC)와 AI 등 초고속 데이터 분석에 활용되는 HBM2 아쿠아볼트(Aquabolt)에 인공지능 엔진을 탑재한 HMB-PIM을 개발했다. 삼성전자에 따르면, 인공지능 시스템에 HBM-PIM을 탑재한 기존 HBM2 시스템 대비 성능이 2배 이상 향상되고 에너지 사용은 70% 이상 감소되며, 기존 HBM 인터페이스를 지원해 HMB 고객들이 하드웨어와 소프트웨어의 변경 없이 HBM-PIM을 통해 인공지능 가속기 시스템 구축이 가능하다. 인공지능 응용 영역이 확대되고 기술이 고도화되는 현대에 고성능 메모리에 대한 요구가 지속적으로 커지면서 기존의 폰 노이만 구조의 한계를 극복하기 어렵다. 대다수 컴퓨터에서 사용하는 폰 노이만 구조는 CPU가 메모리로부터 명령어를 불러오고 실행하고, 결과를 기억장치에 저장하는 작업을 순차적으로 진행하면서 송수신되는 데이터가 많아지면서 처리 작업도 증가해 지연현상이 발생된다. 삼성전자는 메모리 내부의 각 뱅크에
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UPDATE: 2024년 11월 21일 18시 46분
